latch up測試方法
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ESD靜電防護能力試驗
https://www.msscorps.com
Latch-up測試包含I-test/Over voltage(V-test)兩種，試驗溫度則有常溫(Class I)與高溫(Class II)兩類。下圖為高溫Latch-Up設置方式。 – ESD設備. • MK.2TE：HBM最高8KV、 ...
LATCH UP 测试分析
https://wenku.baidu.com
VSUPPLY OVER VOLTAGE TEST，主要是对芯片的电源引脚进行过压测试，如果芯片有多个电源引脚，每个电源引脚都要进行测试。测试条件：一般是对电压引脚进行一个1.5X MAX ...
Latch up的一些注意问题
https://zhuanlan.zhihu.com
之前我们介绍ESD保护结构中，其中SCR出现的PNPN结构，就讲到了一些Latch up相关内容，今天再专门聊一下具体的测试环节和应该注意的问题。
Latch
https://blog.csdn.net
Latch up 是指cmos晶片中, 在电源power VDD和地线GND(VSS)之间由于寄生的PNP和NPN双极性BJT相互影响而产生的一低阻抗通路, 它的存在会使VDD和GND之间产生 ...
半導體產品ESD靜電防護能力測試
http://www.vesp-tech.com
... 測試是半導體產品先期品質驗證的重要關鍵指標。 服務項目. Service Items. 1. 人體靜電放電測試(HBM) / 機械靜電放電測試(MM). 2. 充電放電測試(CDM). 3. 閂鎖測試(Latch- ...
晶片IC測試專欄—LatchUp測試
https://kknews.cc
首先，消費級IC晶片的LatchUp測試主要依據標準JESD78進行測試，當然，會有專門的儀器設備進行測試，通常IC晶片出來之後，會委託第三方實驗室進行LatchUp ...
浅谈Latch
https://zhuanlan.zhihu.com
该标准中将Latch-up测试分为两种：1.电流测试I-test，用于测试非电源管脚；2.电压测试V-test 用于测试电源管脚。其中I-test又有正向注入/负向抽取两种，正 ...
系統層級靜電放電測試所引發之暫態觸發閂鎖效應Transient ...
http://www.ics.ee.nctu.edu.tw
由系統層級靜電放電(System-Level Electrostatic Discharge)測試所引發的暫態觸發閂鎖效應. (Transient-Induced Latchup, TLU)，其物理形成機制可利用元件模擬(Device ...
锁定效应（Latch
http://www.morlab.com
测试意义：锁定效应是影响器件可靠性的一个潜在的严重问题，客观、准确地评价器件的抗锁定效应能力，保证器件的质量。 参考标准：EIA/JEDEC 78。 测试对象 ...
靜電防護過度電性應力閂鎖試驗(ESDEOSLatch
https://www.istgroup.com
iST宜特能協助您進行測試，提供Test to Fail的驗證與失效模式報告。藉此了解IC元件脆弱點與靜電承受度，作為您後續系統設計、IC電路設計調整、甚至後續RMA ...